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    介電常數介質損耗因數檢測儀

    型 號GDAT-A

    更新時間2024-11-24

    廠商性質生產廠家

    報價

    產品描述:介電常數介質損耗因數檢測儀適用于電力行業中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設備及相關絕緣材料的介損和介電常數的測量,支持正反接測試。

    產品概述

     介電常數介質損耗因數檢測儀技術參數:

    信號源頻率范圍:      DDS數字合成 10KHz-70MHz

    Q測量范圍:          1-1000自動/手動量程

    信號源頻率覆蓋比:   6000:1

    Q分辨率:           4位有效數,分辨率0.1

    信號源頻率精度:   3×10-5 ±1個字,6位有效數

    Q測量工作誤差:       <5%


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    電感測量范圍:       15nH-8.4H,4位有效數,分辨率0.1nH

    調諧電容:           主電容30-500PF

    電感測量誤差:       <5%

    調諧電容誤差和分辨率:±1.5P或<1%

    標準測量頻點:       全波段任意頻率下均可測試

    Q合格預置范圍:       5-1000聲光提示

    諧振點搜索:       自動掃描

    Q量程切換:           自動/手動

    諧振指針:           LCD顯示

    LCD顯示參數:       F,L,C,Q,波段等

    介電常數介質損耗因數檢測儀


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    介電常數測試儀GDAT高頻Q表

     
    平板電容極片Φ50mm/Φ38mm可選頻率范圍20KHz-60MHz/200KHz-160MHz
    間距可調范圍≥15mm頻率指示誤差3×10-5±1個字
    夾具插頭間距25mm±0.01mm主電容調節范圍30-500/18-220pF
    測微桿分辨率0.001mm主調電容誤差<1%或1pF
    夾具損耗角正切值≦4×10-4 (1MHz)Q測試范圍2~1023

    介電常數測試儀附表二,LKI-1電感組典型測試數據

     
    線圈號測試頻率Q值分布電容p電感值
    9100KHz989.425mH
    8400KHz13811.44.87mH
    7400KHz202160.99mH
    61MHz19613252μH
    52MHz1988.749.8μH
    44.5MHz231710μH
    312MHz1936.92.49μH
    212MHz2296.40.508μH
    125MHz
    50MHz
    233
    211
    0.90.125μH

    介電常數介質損耗(介質損耗角)測試儀 
     
    型號:GDAT-C

    介電常數測試儀主要特點:
    空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環氧樹脂組成的, 玻纖介電常數為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。 


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    介電常數測試儀主要技術特性:
    介質損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素,為提高材料的性能提供依據;儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數字鎖定,標準頻率測試點自動設定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉換,數值顯示等新技術,改進了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至zei低,并保留了原Q表中自動穩幅等技術,使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯及串聯電阻,傳輸線的特性阻抗等。

    介質損耗測試裝置

    介質損耗測試裝置與精密數字電橋配用,能對薄膜和各種板材絕緣材料進行高低頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(ε)的測試。它符合國標GB/T 1409-2006, GB/T 1693-2007,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。

    本測試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來夾被測樣品,配用電橋作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值(tanδ)和介電常數(ε)是通過被測樣品放進平板電容器和不放進樣品的D值(損耗因素)變化和Cp(電容值)讀數通過公式計算得到。


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